GaSe kristali
Koristeći GaSe kristal, izlazna talasna dužina je podešena u rasponu od 58,2 µm do 3540 µm (od 172 cm-1 do 2,82 cm-1) sa vršnom snagom koja je dostigla 209 W. Značajno je poboljšana izlazna snaga ovog THz. izvor od 209 W do 389 W.
ZnGeP2 kristali
S druge strane, na osnovu DFG u kristalu ZnGeP2, izlazna talasna dužina je podešena u rasponima od 83,1–1642 µm i 80,2–1416 µm za konfiguracije dvofaznog podudaranja, respektivno. Izlazna snaga je dostigla 134 W.
GaP kristali
Koristeći GaP kristal, izlazna talasna dužina je podešena u rasponu od 71,1-2830 µm, dok je najveća vršna snaga bila 15,6 W. Prednost upotrebe GaP-a u odnosu na GaSe i ZnGeP2 je očigledna: rotacija kristala više nije potrebna za postizanje podešavanja talasne dužine. , samo treba podesiti talasnu dužinu jednog mešajućeg snopa unutar širine opsega od čak 15,3 nm.
Da rezimiramo
Efikasnost konverzije od 0,1% je takođe najveća ikada postignuta za stolni sistem koji koristi komercijalno dostupan laserski sistem kao izvore pumpe. Jedini THz izvor koji bi mogao da se takmiči sa GaSe THz izvorom je laser sa slobodnim elektronima, koji je izuzetno glomazan i troši ogromnu električnu energiju.Nadalje, izlazne talasne dužine izvora ovog THz mogu se podesiti u ekstremno širokim rasponima, za razliku od kvantnih kaskadnih lasera od kojih svaki može generirati samo fiksnu valnu dužinu. Stoga, određene primjene koje se mogu realizirati korištenjem široko podesivih monokromatskih THz izvora ne bi bile moguće ako se umjesto toga oslanjaju na subpikosekundne THz impulse ili kvantne kaskadne lasere.
